Session C-1
7/23 13:20-14:10
定員:約70名

トランスフォームジャパンの設立とGaNパワーデバイスの長期信頼性について

講演者

トランスフォーム・ジャパン

講演内容

本セミナーは、ビジネスセッションとテクニカルセッションの2部で構成致します。
トランスフォーム・ジャパンは、本年2月1日に米国トランスフォーム社と富士通セミコンダクターとのパワーデバイス事業統合により設立した日本法人です。
ビジネスセッションでは、弊社の製品や評価ボードの紹介と、GaNパワーデバイスのマーケティング戦略と今後の国内顧客のビジネスサポートについて説明します。
テクニカルセッションでは、まずGaN-HEMTとSilicon MOSFETの各電気的特性を比較しながら、GaN-HEMTのメリットを紹介致します。続いてGaN-on-Siパワーデバイスの最大の懸念点であった長期信頼性について、具体的にHTRB、HTOL等試験の結果を示しながら、GaNパワーデバイスとして世界で初めて”JEDEC”信頼性基準をクリアしたことに関しての解説を行う予定です。

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